报告题目：基于器件仿真的低功耗器件设计
报告人：刘飞 研究员（北京大学）
报告时间：2022年12月14日14:00-15:00
腾讯会议：763-967-057
摘要：随着晶体管尺寸缩小和集成度的提高，集成电路功耗成为制约半导体产业继续沿着摩尔定律发展的重要瓶颈，亟需研究新材料、新结构和新原理器件，而器件仿真在后摩尔新器件设计发挥越来越重要的作用。本报告主要介绍我们在器件仿真方法和新型低功耗器件设计方面的进展。我们发展了从连续介质到原子级的多尺度半导体器件模拟方法，并应用于新兴器件设计。传统晶体管和二极管等器件通过控制热电子发射实现器件开关，其开关效率受到玻尔兹曼极限的限制，制约了集成电路功耗的进一步降低，我们提出通过器件源端态密度工程突破这一限制，基于器件仿真与合作者提出了狄拉克源晶体管物理机制、冷源晶体管、冷源二极管、冷金属等。
简介：刘飞，北京大学集成电路学院研究员，博士生导师，2005年获得吉林大学物理学学士、2009年获得中国科学院理论物理所理论物理硕士、2013年获得北京大学微电子与固体电子学博士，随后在香港大学和麦吉尔大学从事博士后研究，2018年11月入职北京大学。目前主要从事新型逻辑和存储器件、微纳电子器件模型模拟、纳电子器件与电路协同设计等方面的研究工作，在Science、Nature Communications、IEEE EDL、TED和IEDM等学术期刊和会议发表论文三十余篇。
