学术会议

计算半导体材料科学国际研讨会

时间:2017-10-23

   实验室于2017年10月20-22日在上海召开了“计算半导体材料科学国际研讨会”,本次会议邀请到美国、英国、巴西、中国香港和大陆各研究机构18名本领域知名学者参会。在会议报告和研讨中,就计算半导体材料科学领域的以下问题展开了具体深入讨论:

1)薄膜太阳能电池光伏半导体中的结构、电子结构、晶格缺陷、表面、界面及载流子输运行为的第一性原理计算模拟;

2)自旋电子学半导体材料中的自旋输运与量子操控及其计算模拟方法;

3)传统半导体中的杂质离子迁移与扩散的普遍规律;

4)钙钛矿结构卤化物及铁电氧化物半导体中的自旋、轨道耦合及计算模拟方法发展;

5)稀土氧化物类半导体和绝缘体中的磁序的电场操控。

   会议期间讨论热烈,不仅涉及半导体材料的新特性及新的半导体材料的设计,而且涉及半导体材料物性的第一性原理计算方法发展。讨论交流为参会的国内外同行开展进一步合作提供了交流平台,也为参会的复旦大学研究生了解本领域前沿提供了学习机会。